在高分辨率、高刷、低功耗的显示技术浪潮下，TCL华星超高迁50氧化物技术打破传统背板技术瓶颈，兼具高性能与低成本优势。搭载该技术的全球首款矩阵分区分频Oxide笔电屏，以ARR(AI Refresh Rate)多区动态变频技术实现0.01Hz超低刷新率，功耗直降50%，为AI PC与下一代显示设备提供高画质、低能耗的核心方案，引领LCD技术进入全新世代。

　　需求迭代驱动技术革新

　　LCD背板开启性能跃升新赛道

　　长期以来，LCD显示技术的性能提升，始终与背板驱动器件的演进紧密相关。随着行业对显示体验的要求持续升级，传统背板方案已难以全面匹配多元场景的综合需求：

　　-非晶硅(a-Si)TFT：工艺成熟稳定，但迁移率水平有限，在高分辨率、高刷新率等高端应用场景中存在性能瓶颈，同时静态功耗控制难以满足当前低功耗设计的更高标准。

　　-低温多晶硅(LTPS)TFT：具备较高迁移率，可支撑高性能显示。但工艺复杂、成本高昂，且漏电流控制能力有限，难以兼顾低频低功耗需求，无法支持G8.5+大世代线面板。

　　-传统氧化物TFT：在低关态电流特性上表现优异，但迁移率仍有提升空间，难以同时实现高刷与高分辨率的协同优化，无法充分释放LCD技术的性能潜力。

　　随着消费级市场对笔记本、显示器的画质要求持续提升，专业市场对VR/AR、医疗显示等设备的性能需求不断增长，行业迫切需要一种兼具高迁移率、低功耗、高可靠性与低成本的全新背板技术，以突破LCD显示的性能天花板，TCL华星超高迁50氧化物技术正是在这一背景下应运而生。通过迁移率的大幅提升可实现real千刷超高频驱动，器件微型化提升穿透率及实现极窄边框，同时为单IC集成方案落地创造关键条件。

　　底层技术引领突破

　　超高迁50实现性能飞跃

　　TCL华星深研底层核心技术，携手细野秀雄教授重磅推出自主研发的超高迁50氧化物技术，通过三大核心技术突破，构建了高性能氧化物TFT的完整技术闭环。

　　工艺体系重构：构建极致均匀的氧化物半导体体系

　　为实现氧化物半导体薄膜的极致均匀性与致密度，TCL华星率先突破传统工艺路径，引入业界领先的联动式旋转靶溅射成膜技术，叠加复合叠层设计抑制薄膜缺陷，增强耐药液腐蚀性，大幅提升器件均一性和稳定性，为高性能氧化物TFT筑牢根基。同时创新性的采用了复合修复工艺进行界面改善，彻底解决高迁材料In含量过高带来的器件及工艺问题，大幅提升材料迁移率。